Gaufrettes de silicium / silice de première qualité

Nous proposons des plaquettes de silicium et de silice ultra-plates (de 2 à 6 pouces) de qualité supérieure à nos clients travaillant en laboratoire pour diverses applications de recherche. Ces plaquettes de silicium et de silice sont idéales pour les dépôts chimiques ou la croissance cellulaire. Les puces coupées en dés de 5 mm x 5 mm et de 10 mm x 10 mm sont idéales pour les images directes AFM et SEM. Les substrats de silice sont des substrats de silicium revêtus uniformément d'une couche superficielle de 200 nm de SiO2 obtenue par croissance thermique. Comparée au procédé de dépôt chimique en phase vapeur en phase transitoire (CVD), l'oxydation thermique procure une uniformité et une rigidité diélectrique plus élevées. Pour nos plaquettes de silicium recouvertes de couches d'oxyde (c'est-à-dire des plaquettes de silice), nous utilisons uniquement le procédé par voie sèche impliquant de l'oxygène moléculaire pour créer la couche d'oxyde thermique sec (100 nm à 500 nm) pour toutes les couches thermiques situées au-dessus des plaquettes de silicium.
 

  • Données clé:
    Pour tous nos substrats silicium / silice:
    Grade Prime / CZ Virgin;
    Orientation: <100>;
    Type: P / Dopant: Bore
    TIR <3 μm, TTV <10 μm, BOW <10 μm, Rugosité <0,5 nm

Alpha Nanotech Silicon Wafers
Alpha Nanotch Silicon Wafers
  • Tailles disponibles:
    Plaquette de 6 pouces 6 '' d'une épaisseur de 650 µm +/- 20 µm;
    Plaquette de 4 pouces 4 '' d'une épaisseur de 525 µm +/- 20 µm;
    Plaquette de trois pouces 3 '' avec une épaisseur de 400 µm +/- 20 µm;
    Plaquette de deux pouces 2 '' d'une épaisseur de 300 µm +/- 15 µm;

     

  • Formats disponibles:
    1x morceau dans un porte-plaquette;
    10 pièces dans une boîte à gaufrettes;
    25 pièces dans une boîte à gaufrettes;
    Des porte-plaquettes ou des boîtes de plaquettes sont inclus pour chaque achat.

     

  • Des surfaces polies sur un seul côté (SSP) sont disponibles pour toutes les plaquettes, tandis que des surfaces polies sur deux côtés (DDP) sont disponibles uniquement pour des plaquettes de silicium de 4 pouces. Pour les plaquettes de taille différente avec les surfaces DDP, les commandes personnalisées peuvent être placées sur un volume de commande minimal de 25 pièces.


  • Des puces coupées en dés de 5 mm x 5 mm dans une boîte en membrane de gel (25 pièces par boîte) sont disponibles pour les substrats de silicium / silice d’une épaisseur de 525 µm +/- 20 µm. pièces par boîte) sont disponibles pour les substrats de silicium d’une épaisseur de 650 µm +/- 20 µm. Des copeaux coupés en dés avec d’autres épaisseurs sont disponibles sur mesure.


  • Les wafers de type P de première qualité sont connus pour leur excellente tolérance à la chaleur. Aucune émission de gaz ou d'éléments n'est observée pour ces plaquettes lors d'un chauffage à 1 000 ° C / 1832 ° F.


  • Pour les plaquettes de 2 '' à 4 '', les variations d'orientation <100> sont <100> +/- 0,5 degré.
    Pour les wafers de 6 '', des wafers standard et des wafers de haute précision sont disponibles. Pour les wafers 6 '' standard, les variations d’orientation <100> sont <100> +/- 0,5 degré.
    La seule différence entre les plaquettes standard et les plaquettes de haute précision réside dans la variation de l'orientation et tous les autres paramètres techniques sont identiques. Les plaquettes standard sont universellement applicables pour la plupart des applications typiques impliquant le découpage en dés ou sans découpage à la machine, tandis que les plaquettes de haute précision conviennent aux applications de haute précision impliquant le découpage en dés à la main.

     

List of In-Stock Silicon, Thermal Oxide, Fused Silica Substrates

Ultra- Flat Single-Side Polished (SSP) Silicon Substrates

Size: Two Inch 2''(50.8 mm); Thickness: 300 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Two Inch 2''(50.8 mm); Thickness: 180 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Three Inch 3''(76.2 mm); Thickness: 400 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Four Inch 4''(100.0 mm); Thickness: 525 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Six Inch 6''(150.0 mm); Thickness: 650 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Six Inch 6''(150.0 mm); Thickness: 500 um+/- 10 um; 

Type: N/Phosphorus-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: 5.00 mm x 5.00 mm Diced Chips; Thickness: 525 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: 10.00 mm x 10.00 mm Diced Chips; Thickness: 650 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Ultra- Flat Double-Side Polished (DSP) Silicon Wafers

Size: Four Inch 4''(100.0 mm); Thickness: 525 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Four Inch 4''(100.0 mm); Thickness: 300 um+/- 10 um; 

Type: N/Phosphorus-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Ultra- Flat Single-Side Polished (SSP) Silicon Wafers with Dry Thermal Oxides (i.e. Silica Wafers)

 

Size: Four Inch 2''(50.8 mm); Thickness: 300 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 50 Ω·cm

200 nm+/-10 nm Dry Oxide Layers on Both Sides

Size: Four Inch 4''(100.0 mm); Thickness: 525 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 50 Ω·cm

200 nm+/-10 nm Dry Oxide Layers on Both Sides

Size: Four Inch 6''(150.0 mm); Thickness: 650 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 50 Ω·cm

200 nm+/-10 nm Dry Oxide Layers on Both Sides

Size: 5.00 mm x 5.00 mm Diced Chips; Thickness: 525 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 50 Ω·cm

200 nm+/-10 nm Dry Oxide Layers on Both Sides

Ultra- Flat Double-Side Polished (DSP) Fused Silica/Quartz Wafers

 

Size: Four Inch 4''(100.0 mm); Thickness: 400 um+/- 10 um; Grade: JGS2

Size: Four Inch 4''(100.0 mm); Thickness: 400 um+/- 10 um; Grade: JGS1

1 pc

$ 21

$ 28

$ 35

$ 60

$ 60

$ 42

$ 42

$ 45

$ 75

$ 95

10 pcs

25 pcs

$ 168

$ 320

$ 168

$ 320

$ 220

$ 350

$ 270

$ 450

$ 390

$ 650

$ 390

$ 650

$ 48

$ 88

$ 355

$ 550

$ 355

$ 550

$ 355

$ 750

$ 395

$ 850

$ 675

Notes:
 

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